Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 8 x 8 HV 25 A 600 V, 5 broches

N° de stock RS: 192-4899PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STL45N60DM6
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

25 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type de boîtier

PowerFLAT 8 x 8 HV

Type de montage

CMS

Nombre de broche

5

Résistance Drain Source maximum

110 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.75V

Tension de seuil minimale de la grille

3.25V

Dissipation de puissance maximum

160 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

8.1mm

Longueur

8.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

44 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Taille

0.9mm

Pays d'origine

China

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€ 56,14

€ 5,614 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
10 - 18€ 5,614€ 11,23
20 - 48€ 5,051€ 10,10
50 - 98€ 4,541€ 9,08
100+€ 4,318€ 8,64

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N

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

5

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110 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.75V

Tension de seuil minimale de la grille

3.25V

Dissipation de puissance maximum

160 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

8.1mm

Longueur

8.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

44 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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