MOSFET STMicroelectronics canal N, SOT-223 400 mA 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
400 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.25V
Dissipation de puissance maximum
3.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
7 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
3.5mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,76
€ 0,876 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,876 | € 8,76 |
| 30 - 90 | € 0,831 | € 8,31 |
| 100 - 490 | € 0,625 | € 6,25 |
| 500 - 990 | € 0,53 | € 5,30 |
| 1000+ | € 0,425 | € 4,25 |
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N
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Série
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Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.25V
Dissipation de puissance maximum
3.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
7 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
3.5mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.8mm
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