MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 34 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
34 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
93 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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N
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650 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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