MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 55 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET II
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
95 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 53,78
€ 1,076 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,076 | € 53,78 |
| 100 - 450 | € 0,836 | € 41,78 |
| 500 - 950 | € 0,707 | € 35,36 |
| 1000 - 4950 | € 0,591 | € 29,53 |
| 5000+ | € 0,556 | € 27,81 |
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N
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54,9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
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Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
95 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
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