MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 7,2 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.2 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 76,66
€ 1,533 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,533 | € 76,66 |
| 100 - 450 | € 1,194 | € 59,72 |
| 500 - 950 | € 1,005 | € 50,27 |
| 1000 - 4950 | € 0,844 | € 42,19 |
| 5000+ | € 0,799 | € 39,93 |
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N
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Type de boîtier
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Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
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Température de fonctionnement minimum
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