MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 9 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de boîtier
TO-247
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
900 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Taille
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 5,09
€ 5,09 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,09 |
| 10 - 24 | € 4,60 |
| 25 - 99 | € 4,34 |
| 100 - 499 | € 3,46 |
| 500+ | € 3,08 |
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N
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9 A
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Séries
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
900 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Taille
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
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