MOSFET Toshiba canal N, UF6 4,2 A 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
UF6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
66 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.35V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2mm
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
16,8 nC @ 4 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.7mm
Pays d'origine
Thailand
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€ 25,79
€ 0,258 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 25,79
€ 0,258 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 475 | € 0,258 | € 6,45 |
| 500 - 975 | € 0,229 | € 5,74 |
| 1000+ | € 0,202 | € 5,05 |
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N
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4,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
UF6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
66 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.35V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2mm
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
16,8 nC @ 4 V
Température d'utilisation maximum
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Taille
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