MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 9,7 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9.7 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
DTMOSIV
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
380 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.7V
Hauteur
15mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 5,35
€ 1,07 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 5,35
€ 1,07 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,07 | € 5,35 |
| 25 - 45 | € 0,694 | € 3,47 |
| 50 - 120 | € 0,676 | € 3,38 |
| 125 - 245 | € 0,658 | € 3,29 |
| 250+ | € 0,64 | € 3,20 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9.7 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
DTMOSIV
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
380 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.7V
Hauteur
15mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.