MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 20 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
155 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.5mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 128,30
€ 5,132 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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1
Longueur
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Matériau du transistor
Si
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