MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 60 A 120 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 3,35
€ 0,67 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,67 | € 3,35 |
| 50 - 95 | € 0,435 | € 2,17 |
| 100 - 195 | € 0,423 | € 2,12 |
| 200 - 395 | € 0,414 | € 2,07 |
| 400+ | € 0,40 | € 2,00 |
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Série
TK
Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
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