MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 796-5099Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK40E06N1
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

60 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

TK

Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

10.4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

67 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.45mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.16mm

Charge de Grille type @ Vgs

23 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

15.1mm

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Vous pouvez être intéressé par
TRANSISTOR MOSFET CANAL N - SUP60N06-18
Prix ​​sur demandeEach (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 5,22

€ 1,045 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 5,22

€ 1,045 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,045€ 5,22
50 - 120€ 0,949€ 4,74
125 - 245€ 0,898€ 4,49
250 - 495€ 0,825€ 4,13
500+€ 0,762€ 3,81

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Vous pouvez être intéressé par
TRANSISTOR MOSFET CANAL N - SUP60N06-18
Prix ​​sur demandeEach (hors TVA)

Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

60 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

TK

Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

10.4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

67 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.45mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.16mm

Charge de Grille type @ Vgs

23 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

15.1mm

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Vous pouvez être intéressé par
TRANSISTOR MOSFET CANAL N - SUP60N06-18
Prix ​​sur demandeEach (hors TVA)