Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
10.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.1mm
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,22
€ 1,045 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 5,22
€ 1,045 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,045 | € 5,22 |
50 - 120 | € 0,949 | € 4,74 |
125 - 245 | € 0,898 | € 4,49 |
250 - 495 | € 0,825 | € 4,13 |
500+ | € 0,762 | € 3,81 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
10.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.1mm
Détails du produit