MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 5 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
35 W @ 25 °C
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
-1.7V
Hauteur
15mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 8,12
€ 0,406 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,406 | € 8,12 |
| 60+ | € 0,366 | € 7,32 |
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Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
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Single
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1
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Longueur
10mm
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Matériau du transistor
Si
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