Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
7mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.3mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Japan
€ 57,29
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 57,29
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
7mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.3mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Japan