Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
62 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
400 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.02mm
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 306,07
€ 10,202 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 306,07
€ 10,202 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
30 - 120 | € 10,202 | € 306,07 |
150 - 270 | € 9,182 | € 275,46 |
300+ | € 8,632 | € 258,95 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
62 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
400 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.02mm
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit