MOSFET Toshiba canal N, A-247 62 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 827-6255Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK62N60W,S1VF(S
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

62 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Séries

TK

Type de boîtier

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

40 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

400 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

5.02mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.94mm

Charge de Grille type @ Vgs

180 nF @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

20.95mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 16,83

€ 16,83 Each (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, A-247 62 A 600 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 16,83
2€ 33,66
3€ 50,49
4€ 67,32
5€ 84,15
6€ 100,97
7€ 117,80
8€ 134,63
9€ 151,46
10€ 131,69
11€ 144,85
12€ 158,02
13€ 171,19
14€ 184,36
15€ 197,53

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 16,83
10 - 49€ 13,17
50 - 99€ 12,84
100 - 199€ 12,50
200+€ 12,18

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N

Courant continu de Drain maximum

62 A

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TK

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TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

40 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

400 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

5.02mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.94mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

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