Transistor MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 45 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
45 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOP avancé
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
45 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Largeur
5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.95mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
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45 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
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150 °C
Longueur
5mm
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