MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8 60 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
PowerPAK SO-8
Séries
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
3.6V
Dissipation de puissance maximum
65,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5mm
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Taille
1.07mm
Pays d'origine
China
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€ 1 619,15
€ 0,54 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Séries
TrenchFET
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
3.6V
Dissipation de puissance maximum
65,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5mm
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
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