MOSFET Vishay Siliconix canal N, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 178-3877PMarque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SQ2364EES-T1_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

2 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

TrenchFET

Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

600 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.46V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±8 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

2 nC @ 4,5 V

Largeur

1.4mm

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

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€ 35,43

€ 0,354 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 25.

Production -

Disponible en multiples de 25.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 25
100€ 35,43
125€ 44,29
150€ 53,15
175€ 62,01
200€ 70,87
225€ 79,73
250€ 88,58
275€ 97,44
300€ 106,30
325€ 115,16
350€ 124,02
375€ 132,88
400€ 141,73
425€ 150,59
450€ 159,45

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250€ 88,58
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325€ 115,16
350€ 124,02
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 475€ 0,354€ 8,86
500 - 975€ 0,296€ 7,39
1000+€ 0,251€ 6,28

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Nombre de broche

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Résistance Drain Source maximum

600 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.46V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±8 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

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1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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