MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,51
€ 1,51 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,51 |
| 10 - 49 | € 1,36 |
| 50 - 99 | € 1,21 |
| 100 - 249 | € 1,13 |
| 250+ | € 1,06 |
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Nombre de broche
4
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Mode de canal
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Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
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