Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9,8 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Taille
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 19,25
€ 1,93 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
10
€ 19,25
€ 1,93 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
10
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
10 - 49 | € 1,93 |
50 - 99 | € 1,81 |
100 - 249 | € 1,69 |
250+ | € 1,58 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9,8 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Taille
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit