MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 2,1 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.1 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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N
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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