MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 2,6 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.6 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
6.22mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
2V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 80,30
€ 0,803 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 80,30
€ 0,803 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,803 | € 8,03 |
| 250 - 490 | € 0,739 | € 7,39 |
| 500 - 990 | € 0,696 | € 6,96 |
| 1000+ | € 0,58 | € 5,80 |
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N
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2.6 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
6.22mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
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Malaysia
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