Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.6 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,53
€ 0,853 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,53
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.6 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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