MOSFET Vishay canal P, TSOP-6 8 A 12 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Séries
TrenchFET
Type de conditionnement
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
4.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
58 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 83,61
€ 0,418 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 83,61
€ 0,418 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,418 | € 8,36 |
| 500 - 980 | € 0,40 | € 8,00 |
| 1000 - 1980 | € 0,355 | € 7,10 |
| 2000+ | € 0,334 | € 6,69 |
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VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
12 V
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Type de conditionnement
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
4.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
58 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
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