MOSFET Vishay canal N, SOIC 13,6 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13.6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 34,13
€ 0,683 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 34,13
€ 0,683 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 0,683 | € 3,41 |
| 250 - 495 | € 0,617 | € 3,09 |
| 500 - 1245 | € 0,58 | € 2,90 |
| 1250+ | € 0,545 | € 2,72 |
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VishayType de canal
N
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13.6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
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China
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