MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 11,5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
52.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-50 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 63,70
€ 0,637 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 63,70
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,637 | € 12,74 |
| 200 - 480 | € 0,61 | € 12,20 |
| 500 - 980 | € 0,542 | € 10,85 |
| 1000+ | € 0,508 | € 10,17 |
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VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
52.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
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China
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