MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 11,5 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 818-1384PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SI7129DN-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

11.5 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type d'emballage

PowerPAK 1212-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

52.1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

47,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.15mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-50 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 64,97

€ 0,65 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 11,5 A 30 V, 8 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 20
100€ 64,97
120€ 77,96
140€ 90,95
160€ 103,95
180€ 116,94
200€ 124,39
220€ 136,82
240€ 149,26
260€ 161,70
280€ 174,14
300€ 186,58
320€ 199,02
340€ 211,46
360€ 223,89
380€ 236,33

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 180€ 0,65€ 12,99
200 - 480€ 0,622€ 12,44
500 - 980€ 0,553€ 11,05
1000+€ 0,518€ 10,36

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Type de montage

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Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

52.1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

47,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.15mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Taille

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