Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11,3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
ThunderFET
Type de boîtier
Power PAK SC-70
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
19 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
2.15mm
Matériau du transistor
Si
Taille
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, tension moyenne/ThunderFET® , Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 5,34
€ 0,267 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 5,34
€ 0,267 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,267 | € 5,34 |
200 - 480 | € 0,22 | € 4,39 |
500 - 980 | € 0,203 | € 4,07 |
1000 - 1980 | € 0,199 | € 3,98 |
2000+ | € 0,194 | € 3,88 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11,3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
ThunderFET
Type de boîtier
Power PAK SC-70
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
19 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
2.15mm
Matériau du transistor
Si
Taille
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit