MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 29 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
29 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
E Series
Type de boîtier
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
85 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage.
Caractéristiques
Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg
Faible capacité d'entrée
Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
Très faible charge de grille (Qg)
Commutation rapide
Pertes de conduction et de commutation réduites
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,69
€ 6,69 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Série
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
85 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage.
Caractéristiques
Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg
Faible capacité d'entrée
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