MOSFET Wolfspeed canal N, A-247 23 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
155 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
97 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +18 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
21.1mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,3 nC @ 15 V
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
4.8V
Hauteur
5.21mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
• Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 238,16
€ 7,939 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
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97 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +18 V
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1
Largeur
21.1mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,3 nC @ 15 V
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
4.8V
Hauteur
5.21mm
Pays d'origine
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Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
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