Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
230 mA
Tension Drain Source maximum
45 V
Type de boîtier
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 18,16
€ 0,454 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
40
€ 18,16
€ 0,454 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
40
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Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
---|---|---|
40 - 195 | € 0,454 | € 2,27 |
200 - 995 | € 0,395 | € 1,97 |
1000 - 1995 | € 0,34 | € 1,70 |
2000+ | € 0,309 | € 1,54 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
230 mA
Tension Drain Source maximum
45 V
Type de boîtier
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit