MOSFET DiodesZetex canal N/P, TSOT-26 2,1 A, 5,2 A 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2,1 A, 5,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TSOT-26
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
56 mΩ, 168 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.65mm
Longueur
2.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.9mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 63,12
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
€ 63,12
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,105 | € 5,26 |
| 1500+ | € 0,078 | € 3,89 |
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DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2,1 A, 5,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TSOT-26
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
56 mΩ, 168 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.65mm
Longueur
2.95mm
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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