MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-23 3,6 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
62 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
810 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15,4 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 118,37
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
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SOT-23, TO-236
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
1V
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810 mW
Configuration du transistor
Single
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
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3mm
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150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Taille
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