Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal P, SOIC 5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
2 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 5 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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P
Courant continu de Drain maximum
5 A
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Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
2 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
5mm
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