MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Séries
OptiMOS™-T
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.25mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™T d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 927,90
€ 0,928 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.25mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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Certifié AEC-Q101 automobile
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