MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
64 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Séries
OptiMOS™ 3
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
9.45mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.57mm
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 13,79
€ 6,893 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
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±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
9.45mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
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Taille
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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