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MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 45 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 178-7370Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD053N06NATMA1
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

45 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Série

OptiMOS™ 5

Type de conditionnement

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

27 nC @ -10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

2.41mm

Détails du produit

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 1 296,00

€ 0,518 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 45 A 60 V, 3 broches

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N

Courant continu de Drain maximum

45 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Série

OptiMOS™ 5

Type de conditionnement

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

27 nC @ -10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

2.41mm

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MOSFET Transistors, Infineon

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