MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
OptiMOS P
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
137 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +5 V
Charge de Grille type @ Vgs
125 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 8,47
€ 1,694 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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P
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Série
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Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
137 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +5 V
Charge de Grille type @ Vgs
125 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
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MOSFET Transistors, Infineon
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