Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
600V CoolMOS
Type de conditionnement
PG-HDSOP-22
Type de montage
CMS
Nombre de broche
22
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
600V CoolMOS
Type de conditionnement
PG-HDSOP-22
Type de montage
CMS
Nombre de broche
22
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC