MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 170 A 80 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
170 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
310 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.9mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Taille
20.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 65,50
€ 3,275 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
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Paquet de production (Tube)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 3,275 | € 6,55 |
| 50 - 98 | € 3,08 | € 6,16 |
| 100 - 198 | € 2,84 | € 5,68 |
| 200+ | € 2,65 | € 5,30 |
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
170 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
310 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.9mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Taille
20.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
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