MOSFET Infineon canal P, D2PAK (TO-263) 80 A -60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
SIPMOS®
Type d'emballage
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
23 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
340 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
115 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.45mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.57mm
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 607,42
€ 1,607 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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P
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
340 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Largeur
9.45mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
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Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
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