MOSFET IXYS canal N, SOT-227 72 A 600 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
HiperFET, Polar
Type de boîtier
SOT-227
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
1.04 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
240 nC @ 10 V
Largeur
25.07mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 43,43
€ 43,43 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 43,43 |
| 2 - 4 | € 42,13 |
| 5+ | € 41,26 |
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Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum
1.04 kW
Configuration du transistor
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Largeur
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Si
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1
Longueur
38.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.6mm
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