Transistor MOSFET NXP canal N, CDFM 25 A 65 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
65 V
Type de conditionnement
CDFM
Type de fixation
Screw Mount
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
500000 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
34.17mm
Largeur
10.29mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Gain en puissance typique
13 dB
Hauteur
5.77mm
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, NXP
MOSFET Transistors, NXP
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Prix sur demande
1
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5
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500000 mW
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Température d'utilisation maximum
150 °C
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