MOSFET onsemi canal P, SOIC 10 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
PowerTrench
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
13 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
53 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 21,47
€ 0,859 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Paquet de production (Bobine)
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 95 | € 0,859 | € 4,29 |
| 100 - 245 | € 0,845 | € 4,22 |
| 250 - 495 | € 0,838 | € 4,19 |
| 500+ | € 0,784 | € 3,92 |
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Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
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8
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13 mΩ
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Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
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2.5 W
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
53 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
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ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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