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MOSFET onsemi canal P, TO-220AB 27 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 671-5064Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FQP27P06
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

27 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

TO-220AB

Série

QFET

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

70 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

120 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Charge de Grille type @ Vgs

33 nC V @ 10

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.1mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

9.4mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 9,74

€ 1,948 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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P

Courant continu de Drain maximum

27 A

Tension Drain Source maximum

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Type de conditionnement

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Série

QFET

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

70 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

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2V

Dissipation de puissance maximum

120 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

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Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.1mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

9.4mm

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Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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