Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
142 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 31,14
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 31,14
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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P
Courant continu de Drain maximum
2.9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
142 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit