MOSFET onsemi canal N, DFN 185 A 40 V, 4 + Tab broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
185 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
DFN EP
Séries
NTMFS5C430N
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4 + Tab
Résistance Drain Source maximum
1,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
106 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.1mm
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
47 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.05mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 839,68
€ 0,56 Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
106 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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1
Largeur
5.1mm
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
47 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
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