MOSFET onsemi canal N, LFPAK, SOT-669 36 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
36 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
LFPAK, SOT-669
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
21,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
37 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.25mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.15mm
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€ 2 248,08
€ 0,749 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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4
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.25mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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