Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
45 A
Tension Drain Source maximum
1 700 V
Séries
NVH4L0
Type de boîtier
TO-247-4L
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
45 A
Tension Drain Source maximum
1 700 V
Séries
NVH4L0
Type de boîtier
TO-247-4L
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China