MOSFET onsemi canal N, DFNW8 433 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
433 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DFNW8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
630 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
205 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
99 nC à 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.15mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Philippines
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€ 17 064,00
€ 5,688 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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205 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
99 nC à 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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