MOSFET ROHM canal P, TSMT-3 3,5 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
RQ5C035BC
Type de conditionnement
TSMT-3
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
135 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 4,5
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
0.95mm
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€ 28,44
€ 0,284 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
100
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TSMT-3
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CMS
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 4,5
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